BSC010N04LS/TDSON-8/дискретные полупроводники
•Optimizedforsychronousrectification
•Verylowon-resistanceRDS (дальше)
•100%avalanchetested •Superiorthermalresistance
•N-канал, logiclevel
•) Fortargetapplications QualifiedaccordingtoJEDEC1
•Pb-freeleadplating; RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection
| Атрибут продукта | Атрибут со значением |
|---|---|
| Infineon | |
| Категория продукта: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TDSON-8 | |
| N-канал | |
| 1 канал | |
| 40 v | |
| 100 a | |
| mOhms 1 | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1,2 v | |
| 95 nC | |
| - 55 c | |
| + 150 c | |
| 139 w | |
| Повышение | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Вьюрок | |
| Раскроенная лента | |
| MouseReel | |
| Бренд: | Технологии Infineon |
| Конфигурация: | Одиночный |
| Набор развития: | EVAL-600W-12V-LLC-A, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL |
| Время падения: | 9 ns |
| Передний Transconductance - минута: | 140 s |
| Высота: | 1,27 mm |
| Длина: | 5,9 mm |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Время восхода: | 12 ns |
| Количество пакета фабрики: | 5000 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Тип транзистора: | 1 N-канал |
| Типичное время задержки поворота-: | 46 ns |
| Типичное время задержки включения: | 10 ns |
| Ширина: | 5,15 mm |
| Часть # псевдонимы: | SP000928282 BSC010N04LSATMA1 |
| Вес блока: | 0,003527 oz |
[ВОЗ МЫ]
ОГРАНИЧИВАЕМОЕ CO. ТЕХНОЛОГИИ HAOXIN HK ЭЛЕКТРОННОЕ
Главное распределение агента брендов IC мира известных: ALTERA/XILINX/ADI/TI/BROADCOM/LINEAR/CYPRESS/ST/MAXIM/NXP/LATTICE, etc. мы ориентированный на качеств, сервис-ориентированный принцип, быстрая доставка, новое первоначальное упаковывая пятно, держим обещания выиграть рынок, и большинство потребителей для создания лучшего будущего.
